在MRAM這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這意味著即使STT MRAM技術(shù)已經(jīng)接近成熟，其受到的限制仍讓它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。
 
STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對于ToggleMRAM的主要優(yōu)勢是能夠擴展STT-MRAM芯片以更低的成本實現(xiàn)更高的密度。
 
STT-MRAM具有成為領(lǐng)先存儲技術(shù)的潛力，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可以遠低于10nm并挑戰(zhàn)閃存的低成本。
 
STT代表自旋轉(zhuǎn)移扭矩。在STT-MRAM設(shè)備中，使用自旋極化電流翻轉(zhuǎn)電子的自旋。這種效果是在磁性隧道結(jié)(MTJ)或自旋閥中實現(xiàn)的，STT-MRAM器件使用STT隧道結(jié)(STT-MTJ)。通過使電流通過薄磁性層來產(chǎn)生自旋極化電流。該電流然后被引導(dǎo)到更薄的磁性層，該磁性層將角動量轉(zhuǎn)移到改變其自旋的薄層。
 
Everspin的MRAM技術(shù)使用自旋扭矩轉(zhuǎn)移特性，即通過極化電流操縱電子的自旋，以建立所需的自由層磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進行編程或?qū)懭搿ＥcToggle MRAM相比，自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM或STT-MRAM顯著降低了開關(guān)能量，并且具有高度可擴展性，可實現(xiàn)更高密度的存儲器產(chǎn)品。第三代MRAM技術(shù)使用垂直MTJ。開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆棧設(shè)計，可提供長數(shù)據(jù)保留、小單元尺寸、更大密度、高耐久性和低功率。代理商英尚微電子支持提供產(chǎn)品應(yīng)用方案及技術(shù)支持。


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