3D NAND是對閃存單元層進行垂直向上堆疊，類似于微型摩天大樓，近期有報道稱3D NAND今年將成為全閃存內存的重要技術。
        據一家分析機構最新預測，NAND閃存制造商已經把重點放在將其制造廠改造成3D NAND芯片制造廠，而與傳統(tǒng)2D NAND相比，3D NAND生產速度更快，成本更低、密度更高。
        BiCS (Bit Cost Scaling)是西部數據聯(lián)合東芝用來生產固態(tài)硬盤及其它NAND閃存產品的一種垂直疊加或是3D技術。它們最新的內存每單元可存儲3比特位數據并且可以將這些單元向上疊加64層之高。
        該分析機構報道稱，為追隨一馬當先的3D NAND制造商三星和美光的腳步，大多數NAND閃存供應商將在2017年下半年開始大批量生產64層3D NAND芯片。
        今年年初，西部數據與合作伙伴東芝開始生產64層NAND閃存產品，業(yè)內密度最大，每單元可存儲3比特數據。
        這些3D NAND閃存芯片是基于一種西部數據和東芝稱為BiCS的垂直疊加或3D技術。西部數據已經對基于64層NAND閃存技術的首批512GB 3D NAND芯片進行了小批量生產。西部數據64層產品的取樣將在5月底開始，今年下半年初期將會進行大批量生產。
         對于企業(yè)來說，3D NAND的批量生產代表著它們用于數據中心和工作站的非易失性存儲價格將會更加便宜。
不過DRAMeXchange表示，即便3D NAND產品增加，整體的NAND閃存支持也會由于蘋果新一代iPhone推出所需的組件庫存以及SSD供應商的穩(wěn)定需求，預計今年仍保持緊張態(tài)勢。
         3D NAND現(xiàn)在構成了三星和美光各自NAND閃存產出的一半以上。SK海力士正在準備推出72層NAND芯片。據報道指出，SK海力士為了追趕業(yè)內領先廠商，決定在今年下半年開始大批量生產72層芯片。
        DRAMeXchange認為，三星在3D NAND技術競爭中仍處于上風。該公司的48層芯片被廣泛應用于客戶端SSD、企業(yè)級以及移動NAND產品。
        而三星在韓國平澤市新建的制造廠也已經完成了設備安裝，預計將于今年7月份開始生產64層閃存芯片。美光是排名僅次于三星的第二大3D NAND供應商，同時該技術占其整體NAND閃存產出的50％以上。美光目前受益于使用其32層存儲芯片以及擁有強大的自有品牌固態(tài)硬盤發(fā)貨量的主要內存模塊制造商。

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
  英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。