MRAM技術(shù)在理論上具備超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在斷電后能夠保持數(shù)據(jù)不丟失。Everspin MRAM產(chǎn)品具有抗熱消磁功能的eMRAM技術(shù)，該技術(shù)能夠在150攝氏度的高溫下保持數(shù)據(jù)長達數(shù)十年，并采用了22納米制程技術(shù)。
 
    相較于現(xiàn)有的FLASH、靜態(tài)SRAM、動態(tài)DRAM，MRAM展現(xiàn)了卓越的性能。在“非揮發(fā)性”特性上，目前僅有MRAM和FLASH具備此功能；而在“隨機存取”特性上，F(xiàn)LASH不具備，僅MRAM、DRAM、SRAM具備。除此之外，MRAM還具備以下優(yōu)勢：
 
    首先，在芯片面積方面，MRAM與FLASH同屬于小尺寸芯片，占用空間最小；DRAM芯片面積屬于中等尺寸，而SRAM芯片則屬于大尺寸，占用空間最大。
 
    其次，在寫入次數(shù)方面，MRAM、DRAM以及SRAM均能實現(xiàn)約無限次的寫入，而FLASH的寫入次數(shù)大約為10^6次。
 
    第三，在嵌入式設(shè)計規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH通常具有較低的良率，需要增加芯片面積以適應(yīng)設(shè)計規(guī)格；而MRAM則具備高性能，無需增加芯片面積的特殊設(shè)計。
 
    第四，在讀取速度方面，MRAM和SRAM的讀取速度最快，均為25～100納秒，MRAM略快于SRAM；DRAM的讀取速度為50～100納秒，屬于中等速度；相比之下，F(xiàn)LASH的讀取速度最慢。
 
    最后，在耗電量方面，MRAM和SRAM都具有低耗電的優(yōu)勢，F(xiàn)LASH的耗電量屬于中等水平，而DRAM則具有較高的耗電量。英尚微代理供應(yīng)Serial MRAM、Parallel MRAM、Quad Serial MRAM、xSPI STT-MRAM、DDR3/DDR4 ST-MRAM等各種系列和容量的MRAM存儲芯片。


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