不久前，美國商務部長Wilbur Ross在接受路透社記者采訪時表示: “半導體是美國優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)之一，但目前營業(yè)狀況已從大量盈余走向赤字，大不如前。相比中國有一項1500億美元的半導體投資計劃，從現(xiàn)在一直計劃至2025年，這太可怕了。”
      即使連美國商務部長都感覺到害怕，但這并不代表中國半導體自此可以無憂無慮了。1500億美元的投資只是中國發(fā)展半導體行業(yè)的一個必不可少的條件，1500億美元的巨額投資并保證一定能成功，同樣存在隨時失敗的可能性，挑戰(zhàn)和機遇并存。
      作為中國半導體戰(zhàn)略的實踐者，對于紫光集團來說，有利的外部條件是，以尖端制程工藝為代表的半導體技術正在逐漸發(fā)生轉(zhuǎn)變，從對制程工藝的追求轉(zhuǎn)向空間架構的變化，從2D轉(zhuǎn)向3D，而3D所采用的恰恰是上一代的制程工藝技術，與國際先進水平相比，中國在制程工藝上落后一代半，3D轉(zhuǎn)向趨勢，讓中國和世界處在了同一起跑線上。簡而言之，3D已經(jīng)進入了我們發(fā)展范圍，加上國力強大，機遇千載難逢。
       通過收購，紫光集團落實國家戰(zhàn)略，加大了半導體產(chǎn)業(yè)投入，其中，3D NAND絕對是重點中的重點，對此，還有了一個專業(yè)的詞匯:國產(chǎn)大存儲，也稱中國存儲力量。其核心就是DRAM和NAND的制造。
        國產(chǎn)大存儲能夠取得突破和成功嗎?
        前不久，有“爆料稱:日本硅晶圓大廠Sumco砍掉了大陸NOR Flash廠——武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給英特爾、臺積電、美光(Micron)等大廠，明顯偏向美、日，只怕會讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足的窘境。
        所謂硅晶圓、NORFlash，與我們這里說的3D NAND是個什么關系呢?
        經(jīng)過專家指點，硅晶圓是NOR Flash存儲芯片的基礎，NOR Flash又是NAND Flash的基礎。我們所熟悉的閃存顆粒(NAND)制造商，美光、三星、東芝等，在NOR Flash的基礎上經(jīng)過光刻制造而成的，他們的NOR Flash也是來自其他供貨商。NOR Flash又是在硅晶圓基礎上光刻制造而成的，目前全球有4家主要的硅晶圓制造商，其中，日系2家，歐洲一家，還有一家來自中國臺灣。目前中國大陸制造的硅晶圓，還達不到后續(xù)制造的標準。
        國產(chǎn)大存儲崛起，很多地方都有可能被“卡脖子”，從硅晶圓到制程工藝，從半導體材料到光刻技術，總之困難多多。但是縱有千辛萬苦，國產(chǎn)大存儲是時代的選擇!

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