晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星兩者之間的競(jìng)爭(zhēng)，從邏輯芯片擴(kuò)展到內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重新進(jìn)攻內(nèi)存市場(chǎng)，目標(biāo)是需求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，由于傳輸速度比一般閃存快上萬倍，未來是否會(huì)引起內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得關(guān)注。
       臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成近日在臺(tái)積電技術(shù)論壇上，第一次披露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存），分別定于明后年實(shí)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要使用22mn制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置和智能汽車等四領(lǐng)域所供給效能更迅速和耗電更低的新內(nèi)存。

                  
                            臺(tái)積電次世代內(nèi)存布局

       這也是臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家向法人表示不會(huì)跨足標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存，不會(huì)角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后，臺(tái)積電再次說明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局，將盯上效能比一般DRAM和儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
       此前三星電子也在一場(chǎng)晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中首個(gè)可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠，產(chǎn)品技術(shù)時(shí)程遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越臺(tái)積電，三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。
       據(jù)了解，臺(tái)積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā)，多年來因難度高，商業(yè)化和競(jìng)爭(zhēng)力遠(yuǎn)不如DRAM，導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)。
       內(nèi)存業(yè)者表示，次世代內(nèi)存中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存（PRAM）等三大次世代內(nèi)存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。
       不過，在DRAM和NAND Flash制程已接近極限，包括AI人工智能、無人車、高階智能型手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺(tái)積電認(rèn)為商機(jī)即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進(jìn)行商業(yè)化量產(chǎn)。

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