EVERSPIN非易失性存儲器視為極具吸引力的嵌入式技術(shù)
2019-12-19 10:48:03
相關(guān)研究指出，如果以嵌入式
MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省高達(dá)90%的功耗；如果采用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實(shí)現(xiàn)更高的位元密度和更小的芯片尺寸，這些功率與面積成本優(yōu)勢將使MRAM成為邊緣側(cè)設(shè)備的有力競爭者。而相較于傳統(tǒng)的NAND閃存，PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度，更適合在云端對資料進(jìn)行存儲。
MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，從20世紀(jì)90年代開始發(fā)展。該技術(shù)具備接近靜態(tài)隨機(jī)存儲器的高速讀取寫入能力，快閃存儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠(yuǎn)低于DRAM，而且可以無限次地重復(fù)寫入。
EVERSPIN公司是 磁性隨機(jī)存儲器（MRAM） ）和 集成磁（Integrated Magnetic）產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者。并透過持續(xù)提升技術(shù)與擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合來領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的發(fā)展。提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機(jī)存取存儲器，以協(xié)助客戶開發(fā)獨(dú)特且極具競爭力的產(chǎn)品。主要從事： 磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)與傳感器的開發(fā)和制造工作.目標(biāo)市場： 儲存、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、消費(fèi)、運(yùn)輸、和航空電子
MRAM技術(shù)之所以受到業(yè)界追捧，原因在于隨著業(yè)界持續(xù)向更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，DRAM和NAND閃存(Flash)正面對著嚴(yán)苛的微縮挑戰(zhàn)，MRAM因此被視為有望取代這些內(nèi)存芯片的獨(dú)立內(nèi)存組件?？紤]到MRAM具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強(qiáng)勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技術(shù)，適用于取代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備中的嵌入式閃存和3級高速緩存
SRAM。
它不是用來替代閃存的，而是用來處理運(yùn)算過程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。MRAM具有高速讀寫能力，同時也能永久地保存數(shù)據(jù)，所以它屬于RAM，又能兼顧非易失性。
本文關(guān)鍵詞： MRAM
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