這一年來閃存、內(nèi)存市場遇到了好機遇，中國廠商的大量需求使得存儲芯片市場從降價變成了缺貨漲價，直至今年第一季度都會持續(xù)上漲。讓美光、三星以及SK Hynix等公司也因為閃存漲價而過上了好日子，三星去年第三季度在Note 7上的損失在第四季度就被閃存漲價填補回來了。中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個大障礙，幸而紫光集團已經(jīng)在籌劃了，將在南京、武漢、成都三地建設(shè)存儲芯片廠，總投資達700億美元，2018年將量產(chǎn)國產(chǎn)3D NAND閃存。

                                

      繼紫光集團收購新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地已經(jīng)不是什么新聞了，這兩年來時常有媒體對此進行詳細報道。Digitimes也報道稱湖北武漢市的工廠占地面積13公頃，近期已經(jīng)開工，預(yù)計2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。
      不過武漢只是紫光存儲芯片發(fā)展戰(zhàn)略的其中一部分，2017年還有兩個大計劃在四川成都、江蘇南京，投資金額超過460億美元，早前曾有媒體報道過前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔(dān)任副總，他負責(zé)的就是成都晶圓廠，投資金額超過1200億人民幣。
      成都、南京460億美元加上武漢的240億美元投資，紫光建設(shè)三大存儲芯片基地的投資將超過700億美元，人民幣大約5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國都在政府顧問報告中指出中國自主發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將降低美國企業(yè)競爭力，甚至影響美國國家安全。
      除了存儲芯片之外，紫光集團還在尋求進入邏輯IC芯片制造領(lǐng)域，也就是說存儲芯片針對的是美光、三星、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對TSMC、Intel、三星LSI等公司了。

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