良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。
 
非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃存）1的一些重要特性。
   
相變存儲器，例如英特爾的光電存儲器，比動態(tài)隨機存取存儲器小(因此密度更大)，雖然沒有三維與非閃存那么大，但其性能介于動態(tài)隨機存取存儲器和與非閃存之間。這就是為什么Optane在NVMe固態(tài)硬盤和計算機內(nèi)存總線的內(nèi)存中銷售，以提供比NAND閃存更高性能的存儲層，或者在計算應(yīng)用中增加DRAM內(nèi)存。

鐵電隨機存取存儲器(FRAM)和電阻隨機存取存儲器(RRAM)，就像獨立的MRAM一樣，多年來一直被用于特殊領(lǐng)域。FRAM的獨立存儲器一直是低密度產(chǎn)品，但最近關(guān)于使用氧化鉿的特殊相作為鐵電存儲器的發(fā)現(xiàn)給了這項技術(shù)更廣泛應(yīng)用的希望。電阻存儲器(包含許多不同的電阻技術(shù))有望繼續(xù)擴展到非常小的存儲器尺寸，并可用于嵌入式存儲器應(yīng)用。然而嵌入式和獨立非易失性新興存儲器最有希望的可能是MRAM。
 
 
 
本文關(guān)鍵詞：MRAM  SRAM  非易失性存儲器

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