S6R8016W（C）1A和S6R8008W（C）1A是一個8,388,608位512Kx16和1Mx8位異步SRAM，以512K（1M）字乘16（8）位組織。S6R8016W（C）1A（S6R8008W（C）1A）使用16（8）條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其輸出速度比讀取周期的地址訪問時間快。S6R8016W（C）1A允許通過數據字節(jié)控制（UB，LB）訪問低字節(jié)和高字節(jié)。該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術制造，并為高速電路技術而設計。它特別適合用于高密度高速系統(tǒng)應用。
 
特征
•快速訪問時間8、10、12、15ns（最大值）
•CMOS低功耗
待機（TTL）：25mA（最大）
（CMOS）：15mA（最大）
工作：80mA（最大8ns）
70mA（最大10ns）
•廣泛的電源
-S6R80xxW1A：1.65V?3.6V電源
•5.0±0.5V單電源
-S6R80xxC1A：5.0±0.5V電源
•TTL兼容的輸入和輸出
•完全靜態(tài)操作，無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•數據字節(jié)控制（x16模式）
LB：I/O0?I/O7，UB：I/O8?I/O15
•標準的44TSOP2和48FBGA封裝引腳配置。
•在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內運行。
     
netsol的前身為韓國Samsung SRAM事業(yè)部，分立出來后致力于SRAM芯片的研發(fā)與創(chuàng)新，在SRAM存儲器領域擁有比較完整的產品線：Quadruple/DDR SRAM ， Synchronous SRAM（同步）， Asynchronous Fast SRAM（異步SRAM）。 現在使用Netsol芯片產品的都為一些電子工業(yè)巨頭所使用，如3Com和CISCO，ZTE及HUAWEI等。我們的同步高速SRAM產品可與ISSI，Cypress和Lyontek之系列兼容替代，比如Netsol的S7R161882M型號的產品可替代Cypress的CY7C1312KV18型號的SRAM產品，且在某些參數性能上有一定的優(yōu)勢。

本文關鍵詞： NOR Flash

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
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