雙電源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R
2022-08-05 09:25:12
MR256D08BMA45R是一款容量為256Kb的磁阻隨機存取存儲器
MRAM存儲芯片，組織為32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O電壓。MR256D08BMA45R提供與SRAM兼容的45ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。
MR256D08BMA45R的數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。是必須快速永久存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用的理想內(nèi)存解決方案。
此款并口MRAM芯片能在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。封裝采用48BGA)，并行MRAM是大多數(shù)手機、移動設備、膝上機、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。
EVERSPIN在2006年從飛思卡爾半導體公司獨立分離出來，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產(chǎn)品，也是全球第一家生產(chǎn)商業(yè)化MRAM芯片，是世界領先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商，產(chǎn)品廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
本文關鍵詞：并行MRAM,MRAM,MR256D08BMA45R
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