nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會泄漏。
 
    Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。nvSRAM是通過將標(biāo)準的6晶體管SRAM與每個單元中的非易失性EEPROM存儲元件相結(jié)合來構(gòu)建的。單元的總復(fù)雜性為12個晶體管。Everspin MRAM是使用一個簡單得多的1晶體管、1磁性隧道結(jié)單元構(gòu)建的。簡單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性。
 
    nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲器芯片，還取決于外部VCAP電容器的質(zhì)量。必須仔細選擇電容器，以確保可靠的功率排序。
 
    MRAM將磁性隧道結(jié)技術(shù)用于非易失性存儲器。數(shù)據(jù)在高溫下不會泄漏，并且在該技術(shù)中沒有限制讀取、寫入或電源循環(huán)次數(shù)的磨損機制。125℃條件下的數(shù)據(jù)保留期優(yōu)于20年。
 
    使用MRAM的每次寫入都是即時非易失性的，至少持續(xù)20年。不存在從易失性存儲器單元到非易失性存儲單元的數(shù)據(jù)傳輸，也不存在外部電容器或備用電池。消除了外部組件、高度可靠的數(shù)據(jù)保留和35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間，使Everspin MRAM成為在不影響系統(tǒng)性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,nvSRAM
 

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