(1)鐵電存儲器(FRAM)

鐵電存儲器是一種掉電后信息不丟失的非易失存儲器，具有高密度、高速、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。其核心基礎(chǔ)是鐵電晶體材料，采用鐵電效應(yīng)作為其電荷存儲機(jī)制，同時具備隨機(jī)存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。其結(jié)構(gòu)圖如下圖所示。FRAM的工作原理是利用金屬-鐵電-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，鐵電薄膜用來替代MOS管中的柵極氧化硅層，鐵電薄膜保持著兩個穩(wěn)定的極化狀態(tài)，分別表示“1”和“0”。

 
                                           
                                                                                        圖一 FRAM結(jié)構(gòu)剖面圖

(2)磁性存儲器( MRAM)

MRAM是利用材料的磁場隨磁場的作用而改變的原理所制成。利用磁存儲單元磁性隧道結(jié)(MTJ)的隧穿磁電阻效應(yīng)來進(jìn)行存儲。

如下圖二所示，MTJ有三層，最上層為自由層，中間是隧道結(jié)，下面是固定層。自由層的磁場極化方向是可以改變的，而固定層的磁場方向固定不變。當(dāng)自由層與固定層的磁場平行時，存儲單元呈現(xiàn)低阻態(tài);當(dāng)磁場方向相反時，存儲單元呈現(xiàn)高阻態(tài)。MRAM通過檢測存儲單元電阻的高低，來判斷所存數(shù)據(jù)是0還是1。

                                           

                                                                                     圖二 MJT結(jié)構(gòu)示意圖

(3)相變存儲器(PRAM)

PRAM的存儲原理是利用某些薄膜合金的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)相變存儲0和1的信息。通常這些合金具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)：具有低電阻的多晶狀態(tài)和具有高電阻的無定形狀態(tài)。PRAM應(yīng)用硫系玻璃材料，利用硫族材料的電致相變特性，其在晶體和非晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的電阻特性。當(dāng)被加熱時呈晶體狀，為1狀態(tài);當(dāng)冷卻為非晶體時，為0狀態(tài)。通過改變流過該晶體的電流就可以實現(xiàn)這兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。

(4)阻變式存儲器(RRAM)

RRAM的原理是通過特定的薄膜材料的電阻值在不同電壓下呈現(xiàn)的電阻值不同來區(qū)分0和1的值。RRAM的存儲單元具有簡單的金屬/阻變存儲層/金屬(MIM)三明治結(jié)構(gòu)如圖三示。

                                         

                                                                                      圖三RRAM器件結(jié)構(gòu)圖

本文關(guān)鍵詞：鐵電存儲器(FRAM)    磁性存儲器( MRAM)     相變存儲器(PRAM)    阻變式存儲器(RRAM)

相關(guān)文章：嵌入式存儲器發(fā)展歷程

---