嵌入式快閃存儲器(eFlash)一直是目前大眾普遍使用的嵌入式存儲器，但因應(yīng)市場需求存在多種新興的存儲器選擇。除了eMRAM以外，還有嵌入式電阻RAM(eRRAM)、相變存儲器(PCM)、碳納米管(CNT)和鐵電場效電晶體(FeFET)等。Eggleston指出，無論是哪一種選擇，都必須在數(shù)據(jù)保存、效率與速度方面權(quán)衡選擇。CNT和FeFET都展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿Γ壳斑€不夠成熟，而PCM則適用于特定應(yīng)用，而無法廣泛用于嵌入式應(yīng)用。

　　
Eggleston說：“MRAM和RRAM具有類似的功能，二者都是后段校準(zhǔn)的存儲器，因而能更易于落實于邏輯制程中。”可用的制程技術(shù)包括需要大型芯片、FD-SOI或FinFET的制程。他并表示，eFlash可內(nèi)建于芯片之中，但如果要建置于各種不同的技術(shù)中將更具挑戰(zhàn)性。

　　
Eggleston說，RRAM的堆疊更簡單，因為在電極之間所需的材料較少。他說：“而且它并不需要像MRAM一樣的設(shè)備投資。MRAM由于堆疊較復(fù)雜，確實需要一些資本設(shè)備投資。”然而，他指出，RRAM無法提供滿足更廣泛市場所要求的數(shù)據(jù)保存、速度以及耐用度等能力。

　　
Eggleston說，MRAM較RRAM出色之處在于其多功能性，因為它的材料組成可在電極之間加以調(diào)整。“你可以為其進行調(diào)整，使其具有更好的數(shù)據(jù)保存能力，或是支援更快的寫入速度與耐用性。”他并補充說，這種可調(diào)整的能力讓Globalfoundries能在先進節(jié)點跨足eFlash的領(lǐng)域，也可以調(diào)整其速度，使其得以作為非揮發(fā)性快取，用于服器處理器與儲存控制器中。

 

 

本文關(guān)鍵詞：MRAM

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