GD32F205RCT6是基于Cortex M3內(nèi)核32bit(位)通用型MUC產(chǎn)品，主頻為120MHz, 片內(nèi)閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內(nèi)核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平，內(nèi)嵌實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC) 和2個(gè)看門狗(WDG)， 集成了豐富的外設(shè)功能，這款單片機(jī)GD32F205RCT6面向工業(yè)和消費(fèi)類嵌入式應(yīng)用，適用于工業(yè)自動(dòng)化、人機(jī)界面、電機(jī)控制、安防監(jiān)控、智能家居家電及物聯(lián)網(wǎng)等,  

      單片機(jī)GD32F205RCT6內(nèi)置SRAM為128KB的內(nèi)存，但在面對實(shí)際上的應(yīng)用設(shè)計(jì)中，如果出現(xiàn)單片機(jī)內(nèi)置SRAM內(nèi)存不夠的情況，大部分設(shè)計(jì)人員會考慮外擴(kuò)SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在讀寫限制的問題，確實(shí)是考慮外擴(kuò)內(nèi)存的首選，但如果采用并口外擴(kuò)內(nèi)存需要較多的MCU管腳，給MCU無形中帶來了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持， 如果采用串行SRAM作為單片機(jī)外擴(kuò)的資源，相對來說更好，串行SRAM只需要八個(gè)管腳，SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積，

      GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的，并且有三個(gè)SPI，可以通過用SPI接口外擴(kuò)串行SRAM對單片機(jī)進(jìn)行內(nèi)存的拓展。串行SRAM其實(shí)嚴(yán)格來說是一種偽靜態(tài)SRAM，也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議（無需刷新，無需DRAM控制器）、具有DRAM單管存儲結(jié)構(gòu)的存儲器，比SRAM容量大很多，價(jià)格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機(jī)內(nèi)存的一種解決方案。

      我司推薦一款串行SRAM,容量為8MB并有高達(dá)50MB/s的帶寬。只需要由SPI或QPI接口并可以使用，可以提供400MB/s或者3.2Gbps的數(shù)據(jù)吞吐速率。

以下為型號參考：

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3	104	SQI	C,I	8-SOIC
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3	20	SPI	C,I	8-SOIC
32Mbit	4M x 8	VTI7032LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
32Mbit	4M x 8	VTI7032LSM	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC
16Mbit	2M x 8	VTI7016LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
16Mbit	2M x 8	VTI7016LSM	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC
1Mbit	128K x 8	VTI7001LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
1Mbit	128K x 8	VTI7001NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
512Kbit	64K x 8	VTI7512LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
512Kbit	64K x 8	VTI7512NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
256Kbit	32K x 8	VTI7256LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
256Kbit	32K x 8	VTI7256NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC
128Kbit	16K x 8	VTI7128LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC
128Kbit	16K x 8	VTI7128NSM	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC

本文關(guān)鍵詞：SRAM

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