目前來說對于存儲單元SRAM的研究主要基于硬件電路來完成，并且在也都是在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的這些辦法，但并不能夠當(dāng)當(dāng)從生產(chǎn)過程中去杜絕SRAM的硬件故障，如果SRAM硬件出錯(cuò)導(dǎo)致程序出錯(cuò)特別是在使用過程中，是較難被發(fā)現(xiàn)的，因此通過軟件對SRAM 進(jìn)行檢測是為了防止在運(yùn)用過程中因存儲單元損壞而導(dǎo)致系統(tǒng)出錯(cuò)。

1 SRAM運(yùn)行狀態(tài)分析
SRAM是一種易失性的隨機(jī)靜態(tài)存儲器，存儲非CONSTANT變量（如RW），具有掉電丟失數(shù)據(jù)的特點(diǎn)，從系統(tǒng)上電后，從Corter-M3啟動(dòng)步驟可得知，需先執(zhí)行復(fù)位的五個(gè)步驟：
①NVIC復(fù)位，控制內(nèi)核；
　?、贜VIC從復(fù)位中釋放內(nèi)核；
　?、蹆?nèi)核配置堆棧；
　　④內(nèi)核設(shè)置PC和LR；
　?、葸\(yùn)行復(fù)位程序。
　　可以看出，不能在調(diào)入C環(huán)境之后檢測SRAM，必須在Cortex—M3復(fù)位之前和啟動(dòng)之后進(jìn)行檢測。
　　在執(zhí)行系統(tǒng)復(fù)位的最后一個(gè)步驟之前，系統(tǒng)都沒有對SRAM執(zhí)行任何相關(guān)的數(shù)據(jù)傳送動(dòng)作。第⑤步運(yùn)行復(fù)位程序，在ST公司Cortex-M3處理器內(nèi)核的STM32系列微控制器的啟動(dòng)代碼中有一段復(fù)位子程序：


　　在這個(gè)子程序里導(dǎo)入了__main，__main是C庫文件的入口地址。它執(zhí)行下面3個(gè)步驟：
　　①復(fù)制非root（RW、RO）從Flash到SRAM；
　?、诜峙鋃I區(qū)，并且初始化為0；
　　③跳轉(zhuǎn)到堆棧初始化子程序接口__rt_entry。
　　由_ _main的第一步可以得出，在跳入_ _main之后，系統(tǒng)對SRAM進(jìn)行了相關(guān)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移的操作。因此，檢測SRAM必須在此步驟之前，否則將會(huì)覆蓋SRAM從Flash中轉(zhuǎn)移過來的數(shù)據(jù)。
　　2 SRAM檢測方案設(shè)計(jì)
　　在復(fù)位子程序跳入_ _main之前，設(shè)計(jì)另一個(gè)程序入口SRAM_Check，使PC指針指向該SRAM進(jìn)行硬件單元檢測程序（SRAM_Check）的入口。在SRAM_check里，首先將PC指針指向SRAM的首地址并寫入0xFF，讀回該地址的值到通用寄存器Rn1，并對Rn1里的值進(jìn)行加1操作，然后將Rn1和256做比較，得出SRAM硬件是否損壞。這種操作可以避免因SRAM硬件一直為1或0而出現(xiàn)算法本身錯(cuò)誤。由于Cortex—M3復(fù)位后默認(rèn)的時(shí)鐘為HSI，是一個(gè)內(nèi)部RC振蕩器，因此精度不高。如果需要更準(zhǔn)和快速的時(shí)鐘，就必須在跳入SRAM_Check之前對相關(guān)的寄存器進(jìn)行操作。
　　3 SRAM檢測軟件設(shè)計(jì)
　　圖1為本文設(shè)計(jì)的SRAM檢測軟件程序流程。


圖1 SRAM檢測軟件程序流程
　　4 在線調(diào)試結(jié)果及分析
　　上電復(fù)位后，在線調(diào)試PC指針指向Reset_Handler入口地址時(shí)的SRAM初始數(shù)值如圖2所示。可以看到，當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位時(shí)每個(gè)SRAM單元的數(shù)值均為0x00。
　　在線調(diào)試下，圖3為對所有的SRAM地址進(jìn)行檢測后SRAM的數(shù)值，完全符合程序設(shè)計(jì)要求。

　　SRAM測試通過后，釋放所有的SRAM，還原為0x00，如圖4所示。

　　5 結(jié)論
　　本文提出了一種基于軟件的SRAM單元故障自檢測方法，通過在線調(diào)試得到的結(jié)果，可知該方法是完全可行的。在實(shí)際運(yùn)用中，該方法能夠確保系統(tǒng)正常地運(yùn)行在可靠的環(huán)境之上。如果SRAM單元有生產(chǎn)或運(yùn)輸?shù)葥p壞，也可以通過該方法方便地檢測出來，大大減少了系統(tǒng)排除故障的時(shí)間。
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM
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